全球SiC競爭白熱化 中國廠家IP專利激增
2025/1/4
中國電動車（EV）蓬勃發展，在EV領域應用廣泛的碳化矽（SiC）元件也快速發展。法國研調機構Knowmade公布的最新報告指出，中國SiC業者在2021~2023年間提交的SiC創新專利數量激增60%，且申請SiC基板技術相關IP的中國新創企業增加25家，申請SiC裝置IP的新創企業則新增約50家。
據eeNews Europe報導，光2023年全球所有新申請SiC專利數，來自中國業者就佔了70%以上，不過中國業者專利大多是針對中國本地市場，海外申請專利數量不超過5%。
這或許可解讀為目前中國業者並未真正對海外SiC市場領導者構成威脅。目前，全球SiC專利的領導者是日系業者三菱電機（Mitsubishi Electric）和富士電機（Fuji Electric）。
2023年SiC創新專利數量總體較2021年成長約50%，美中之間的貿易戰，被視為促使SiC專利數量快速成長的原因之一。由於中國亟欲擺脫SiC對外依賴，因此，在政策鼓勵下，積極建立當地的SiC供應鏈與生態系，以解決SiC晶片短缺問題。
不過，中國本地SiC供應鏈快速蓬勃發展，不能避免又導致了產能供給過剩，引發更激烈的價格競爭；為此，許多廠家為了避免受到價格波及，更加重視專利的申請與保護，以提升競爭力。
與此同時，如英飛凌（Infineon）、Wolfspeed、羅姆（Rohm）、意法半導體（STM）和Coherent等晶片商，也利用垂直整合策略強化自身供應鏈體系。這些業者多數採用整合元件廠（IDM）商業模式，將大量資源挹注在SiC材料、製造到封裝的環節，強化供應鏈整合佈局。
這項報告也同時指出，多數擁有SiC專利領域的業者，也將溝槽型金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）納入其技術路徑圖，溝槽型MOSFET近期也已成為一個競爭日益激烈的IP。
據eeNews Europe報導，光2023年全球所有新申請SiC專利數，來自中國業者就佔了70%以上，不過中國業者專利大多是針對中國本地市場，海外申請專利數量不超過5%。
這或許可解讀為目前中國業者並未真正對海外SiC市場領導者構成威脅。目前，全球SiC專利的領導者是日系業者三菱電機（Mitsubishi Electric）和富士電機（Fuji Electric）。
2023年SiC創新專利數量總體較2021年成長約50%，美中之間的貿易戰，被視為促使SiC專利數量快速成長的原因之一。由於中國亟欲擺脫SiC對外依賴，因此，在政策鼓勵下，積極建立當地的SiC供應鏈與生態系，以解決SiC晶片短缺問題。
不過，中國本地SiC供應鏈快速蓬勃發展，不能避免又導致了產能供給過剩，引發更激烈的價格競爭；為此，許多廠家為了避免受到價格波及，更加重視專利的申請與保護，以提升競爭力。
與此同時，如英飛凌（Infineon）、Wolfspeed、羅姆（Rohm）、意法半導體（STM）和Coherent等晶片商，也利用垂直整合策略強化自身供應鏈體系。這些業者多數採用整合元件廠（IDM）商業模式，將大量資源挹注在SiC材料、製造到封裝的環節，強化供應鏈整合佈局。
這項報告也同時指出，多數擁有SiC專利領域的業者，也將溝槽型金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）納入其技術路徑圖，溝槽型MOSFET近期也已成為一個競爭日益激烈的IP。
