AI需求支撐原廠擴充產能　DDR5滲透率進入雙位數

生成式AI需求帶動記憶體產業加速復甦，上游原廠陸續恢復增產及提高稼動率，DDR5成為增產重點，業界估計，DDR5將可望從第2季進入供需平衡。雖然下半年產能持續開出，但由於DDR5滲透率快速提升，終端需求可望消化產能增加，帶動整體滲透率從個位數比重進入雙位數。
 
受到2023年終端需求放緩、供應鏈庫存去化等因素，導致DDR5滲透率攀升不如預期，隨著新平台推出及AI PC陸續問世換機潮帶動下，市場看好，DDR5取代DDR4的動能將逐步放大。
據市場估計，DDR5在2024年初仍處於供不應求，第1季供給率還有3%缺口，隨著上游原廠策略性調整產能，高頻寬記憶體（HBM）及DDR5供應持續上升，從第2季起供應吃緊的缺口將收斂至1%左右，從下半年起開始進入微幅供過於求。
 
DDR4於2023年持續進行庫存調節，但上游原廠短期內仍不傾向恢復產能，整體產能排擠效應下，DDR4通路庫存也逐漸恢復健康。據估計，2024年上半DDR4產能供應持續微幅不足，直到進入第4季DDR4滿足率才逐漸回正。
 
宇瞻總經理張家騉認為，雖然第4季進入供過於求，但上游原廠採取積極產能控制，全年記憶體價格漲勢仍將可以維持延續。
 
原廠的增產考量仍是以配合應用需求為主，因應AI需求爆發帶動高速運算，推動HBM和DDR5需求加速成長，宇瞻規劃供應DDR5 RDIMM等高階產品打入伺服器相關供應鏈。
 
隨著HBM大量產出，HBM將從2023年約5~8%個位數比重，從2024年起開始呈現倍數或3倍成長，可望消耗約20%或更多的供給位元，而DDR5滲透率也將明顯提升，上升至20~30%。
 
尤其是NB、手機主流將採用DDR5或LPDDR5，以第2季來看，原廠DDR5或NAND Flash滿足率並不佳，僅能滿足約5成。至於工控產品仍以DDR4為主，但DDR4滲透率也在提升，以宇瞻存貨來看，過去DDR5比重僅約個位數，近期已提升至庫存比重的20%。
 
由於DDR5模組須搭載PMIC等零組件，目前與DDR4的差價約3成，而DDR4受到原廠產能供應調整影響，產品價格還有機會再進一步提升。
 
DDR5在生產過程中，從投片到產出時間拉長、影響整體產出變少，包括測試時間都較DDR4模組長，因此原廠的產能利用率雖然慢慢提升，但實際增加的產出沒有想像中多。
 
相較於SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron）逐步調升產能，目前龍頭廠三星電子（Samsung Electronics）仍尚未鬆口將增加多少產能。業界認為，三星的增產策略將是最重要的觀測點，若下半年需求確實明顯不如預期，不排除原廠供給量將再進行調整。